圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B2G084Q-BCMAT00 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3 SDRAM |
| IC代碼 | 256MX8 DDR3 |
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | TAPE ON REEL |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 3rd Generation |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G084Q-BCMAT00 | 0 | 索取報價 |