K4B2G1646B-HCF8
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B2G1646B-HCF8 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX16 DDR3 |
| 共通IC编号 | K4B2G1646BHCF8000 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1066 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 3rd Generation |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646B-HCF8 | 4,000 | 索取报价 | |
| K4B2G1646B-HCF8 | 1,887 | 索取报价 | |
| K4B2G1646B-HCF8 | 25,378 | 索取报价 | |
| K4B2G1646B-HCF8 | 2,000 | 2010+ | 索取报价 |
| K4B2G1646B-HCF8 | 10,000 | 索取报价 | |
| K4B2G1646B-HCF8 | 2,238 | 11+ | 索取报价 |
| K4B2G1646B-HCF8 | 20,000 | 2009+ | 索取报价 |
| K4B2G1646B-HCF8 | 4,000 | 2009+ | 索取报价 |
| K4B2G1646B-HCF8 | 20,000 | 索取报价 | |
| K4B2G1646BHCF8000 | 991 | 10+ ROHS | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G1646B-HLF8 | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H5TQ2G63BFR-G7C 2G | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| HXB15H2G160CF-19F | FBGA-96 | 1.5V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43TR16128A-187FBL | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B2G1646C-HCF8 | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |