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制造商IC编号 | K4B4G0846B-HCMA |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 1866 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G0846B-HCMA | 4,000 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4B4G0846D-BCMAT | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCMAT00 | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846E-BCMAT | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846Q-HCMA | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846Q-HCMA000 | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RA-107 | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RA-107 ES:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RA-107:D | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RH-107 | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RH-107 ES:E | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |