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制造商IC编号 | K4B4G0846D-BCK |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3 |
共通IC编号 | K4B4G0846D-BCK0 |
K4B4G0846D-BCK0000 | |
K4B4G0846D-BCK00000 | |
K4B4G0846D-BCK00CV | |
K4B4G0846D-BCK0T00 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 1866 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 5th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 单价 (USD) | 生产年份 | 附记 | |
---|---|---|---|---|---|
K4B4G0846D-BCK00CV | 160 | 1743 | AB库存 | 索取报价 |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G0846D-BCK0 | 5,500 | 索取报价 | |
K4B4G0846D-BCK0 | 0 | 索取报价 | |
K4B4G0846D-BCK0 | 12,000 | 17+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0 | 2,000 | 索取报价 | |
K4B4G0846D-BCK0000 | 13,430 | 18+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0 | 6,400 | 18+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0000 | 1,280 | 2017+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0 | 300 | 14+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0000 | 1,280 | 21+ | 索取报价 |
K4B4G0846D-BCK0 | 5,000 | 17+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H5TQ4G83BFR-RDA | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
H5TQ4G83BFR-RDCA | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
H5TQ4G83CFR-RDA | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
H5TQ4G83EFR-RDA | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-107MBL | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120B-107MBL | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120B-107MBLC | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120BL-107MBL | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120BL-107MBLC | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120EC-107NBL | FBGA-78 | 1.5 V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |