K4B4G0846D-BYNB
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4B4G0846D-BYNB |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3L SDRAM |
| IC代码 | 512MX8 DDR3L |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35 V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | DDR3-2133(14-14-14)3 |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 5th Generation |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846D-BYNB | 20,480 | 索取报价 |