K4B4G0846D-BYNB
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B4G0846D-BYNB |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 512MX8 DDR3L |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | DDR3-2133(14-14-14)3 |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 5th Generation |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846D-BYNB | 20,480 | 索取報價 |