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制造商IC编号 | K4B4G0846E-BCNB |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR3 |
共通IC编号 | K4B4G0846E-BCNB000 |
K4B4G0846E-BCNBT0 | |
K4B4G0846E-BCNBT00 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2133 MBPS |
标准包装数量 | 1280 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4B4G0846E-BCNB | 1,280 | 索取报价 | |
K4B4G0846E-BCNB | 10 | 23+ | 索取报价 |
K4B4G0846E-BCNB | 10,000 | DC23+ | 索取报价 |
K4B4G0846E-BCNBT00 | 50,000 | 索取报价 | |
K4B4G0846E-BCNB | 20,480 | 索取报价 | |
K4B4G0846E-BCNB | 19,200 | 索取报价 | |
K4B4G0846E-BCNB | 10,000 | 索取报价 | |
K4B4G0846E-BCNB | 10,000 | DC22+ | 索取报价 |
K4B4G0846E-BCNB | 2,000 | 19+ 20+ | 索取报价 |
K4B4G0846E-BCNB | 5,120 | 2017+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
NT5CB512M8EQ-FL | TFBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+95 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
IS43TR85120A-093NB | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBL | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBL-TR | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43TR85120A-093NBLC | BGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB000 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNB0S3 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNBT00 | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
K4B4G0846D-BCNBTR | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |
MT41J512M8RH-093 ES:E | FBGA-78 | 1.5 V | 2133 MBPS | 0 C~+85 C |