K4B4G1646E-BMMA0CV SAM

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G1646E-BMMA0CV SAM
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3L

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646E-BMMA0CV SAM 35,775 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TC4G63CFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDIR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256AL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-BM BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646D-BMMA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMA00 FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMA000 FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C