K4B4G1646E-BY6MA

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4B4G1646E-BY6MA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646E-BY6MA 20,160 索取报价
K4B4G1646E-BY6MA 10,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS43TR16256AL-107MBI BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256BL-107MBI BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+85 C
IS43TR16256ECL-107NBI BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+85 C
MT41K256M16TW-107XIT:P/IT:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+85 C