K4E641612B-TL50

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4E641612B-TL50
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 3rd Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E641612B-TL50 12,000 索取报价
K4E641612B-TL50 6,000 2003+ 索取报价
K4E641612B-TL50 17,630 2003+ 索取报价
K4E641612B-TL50 9,000 索取报价
K4E641612B-TL50 10,222 03+ 索取报价
K4E641612B-TL50 6,000 03+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C