K4E641612D-TP50

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4E641612D-TP50
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO
共通IC编号 K4E641612D-TP50000
K4E641612D-TP50T00
K4E641612DTP5000
K4E641612DTP50T

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Generation 5th Generation
Power Low Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E641612D-TP50 5,500 索取报价
K4E641612D-TP50T00 4,000 索取报价
K4E641612D-TP50T00 100 4 索取报价
K4E641612D-TP50T00 400 2004+ 索取报价
K4E641612D-TP50 3,200 08+ 索取报价
K4E641612D-TP50 12,000 索取报价
K4E641612D-TP50 1,450 索取报价
K4E641612D-TP50 10,000 2003+ 索取报价
K4E641612D-TP50 5,073 2001+ 索取报价
K4E641612D-TP50 20,000 2003+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D50TI TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C