K4E641612D-TP50

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E641612D-TP50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E641612D-TP50000
	K4E641612D-TP50T00
	K4E641612DTP5000
	K4E641612DTP50T

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Low Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E641612D-TP50	5.500		Anfrage senden
K4E641612D-TP50T00	4.000		Anfrage senden
K4E641612D-TP50T00	100	4	Anfrage senden
K4E641612D-TP50T00	400	2004+	Anfrage senden
K4E641612D-TP50	3.200	08+	Anfrage senden
K4E641612D-TP50	12.000		Anfrage senden
K4E641612D-TP50	1.450		Anfrage senden
K4E641612D-TP50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E641612D-TP50	5.073	2001+	Anfrage senden
K4E641612D-TP50	20.000	2003+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TI5	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TI50	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP50	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI50	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E641612D50TI	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C