K4E641612D-TI50 OR MT4LCM

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612D-TI50 OR MT4LCM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C