K4E641612D-TI50 OR MT4LCM

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Hersteller-Nummer K4E641612D-TI50 OR MT4LCM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E661612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TL5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TL5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TL50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TP15 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TP5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TP50T0 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TP50T000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612DT50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612DTL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C