K4E661612D-TL5

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E661612D-TL5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E661612D-TL5000
K4E661612D-TL50000
K4E661612DTL50

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 5th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E661612DTL50 411 10 Anfrage senden
K4E661612DTL50 12.000 Anfrage senden
K4E661612DTL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612DTL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612DTL50 5.421 03+ Anfrage senden
K4E661612DTL50 5.000 2002+ Anfrage senden
K4E661612DTL50 960 00+ Anfrage senden
K4E661612D-TL5 974 Anfrage senden
K4E661612DTL50 960 0 Anfrage senden
K4E661612DTL50 960 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C