K4E661612D-TP5

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Hersteller-Nummer K4E661612D-TP5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E661612D-TP50
K4E661612D-TP50T0
K4E661612DTP50T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

Lager

Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4E661612D-TP50 4.000 0037 Auf Lager Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.323 0028 Auf Lager Anfrage senden
K4E661612D-TP50 21.892 0025 Auf Lager Anfrage senden
K4E661612D-TP50 3.594 0022 Auf Lager Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.000 0019 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
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K4E661612D-TP50 3.594 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.323 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.000 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 10.000 17+ Anfrage senden
K4E661612D-TP50 4.000 0037 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.323 0028 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 20.000 0025 Anfrage senden
K4E661612D-TP50 1.892 0025 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C