K4H561638D/E/H/F-TCC4

产品概述

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制造商IC编号 K4H561638D/E/H/F-TCC4
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 16MX16 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 200 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
A3S56D40ETP-G5I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
A3S56D40FTP-G5I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5BTI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5CLI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
EDD2516AKTA5CLIE TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
H5DU2562GTR-E3I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TI-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160B-5TLI TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16160D -5TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ -40 C~+85 C