K4S283233F-FN75

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4S283233F-FN75
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 SDRAM MOBILE
IC代码 4MX32 SD
共通IC编号 K4S283233F-FN750
K4S283233F-FN7500
K4S283233F-FN75000

产品详情

脚位/封装 FBGA-90
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.0V/3.3V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 7th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4S283233F-FN75 5,500 索取报价
K4S283233F-FN75 104 05+ 索取报价
K4S283233F-FN75 104 05 索取报价
K4S283233F-FN75 0 索取报价
K4S283233F-FN75 1,918 2007+ 索取报价
K4S283233F-FN75 1,000 索取报价
K4S283233F-FN75000 312 索取报价
K4S283233F-FN75 2,000 索取报价
K4S283233F-FN75000 11,688 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4M283232H-HN75 FBGA-90 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FG7L FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75000 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-FN75T00 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M283233H-HG75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C