K4T1G084QJ-BIE6

产品概述

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制造商IC编号 K4T1G084QJ-BIE6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 128MX8 DDR2

产品详情

脚位/封装 FBGA-60
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 667 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 11th Generation

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
HY5PS1G831CFP-Y5I FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280A-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBI-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280C-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280A-3DBLA1 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280A-3DBLA1-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280B-3DBLA1 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280B-3DBLA1-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C