K4T1G084QJ-BIE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T1G084QJ-BIE6
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 128MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-60
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 11th Generation

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
HY5PS1G831CFP-Y5I FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280A-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBI-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR81280C-3DBLI FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280A-3DBLA1 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280A-3DBLA1-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280B-3DBLA1 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR81280B-3DBLA1-TR FBGA-60 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C