K4T51163QG-HCF7

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4T51163QG-HCF7
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR2
共通IC编号 :K4T51163QG-HCF7
K4T51163QG-HCF7000
K4T51163QG-HCF70JP
K4T51163QG-HCF7T

产品详情

脚位/封装 FBGA-84
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 800 MBPS
标准包装数量 1280
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T51163QG-HCF7 128 1101+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 558 09+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 134 0934+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 550 15+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 196 15+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 155 0943+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 144 0919+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 12,500 索取报价
K4T51163QG-HCF7 9,600 14+ 索取报价
K4T51163QG-HCF7 11,350 16+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5PS5162KFR-S6CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25D TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25E TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C