K4T51163QG-HCF7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QG-HCF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen :K4T51163QG-HCF7
K4T51163QG-HCF7000
K4T51163QG-HCF70JP
K4T51163QG-HCF7T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QG-HCF7 128 1101+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 558 09+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 134 0934+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 550 15+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 196 15+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 155 0943+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 144 0919+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 12.500 Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 9.600 14+ Anfrage senden
K4T51163QG-HCF7 11.350 16+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5PS5162KFR-S6CR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25D TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HXB18T512160BF(L)-25E TFBGA-84 1.8V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S5 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-S6 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-E3 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C