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制造商IC编号 | K4T51163QJ-BCE6 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR2 SDRAM |
IC代码 | 32MX16 DDR2 |
共通IC编号 | K4T51163QJ-BCE6000 |
K4T51163QJ-BCE6000: | |
K4T51163QJ-BCE6T | |
K4T51163QJ-BCE6T00 | |
K4T51163QJ-BCE6TCV | |
K4T51163QJBCE600 |
脚位/封装 | FBGA-84 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.8 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 667 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4T51163QJ-BCE6 | 63 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 4,937 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 100,000+ | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 22,944 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 4,841 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6000 | 822 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 1,280 | 12+ | 索取报价 |
K4T51163QJ-BCE6 | 25,000 | 11/12+ | 索取报价 |
K4T51163QJ-BCE6 | 12,800 | 索取报价 | |
K4T51163QJ-BCE6 | 20,000 | 12+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
EM68B16CWPA-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
EM68B16CWPA-3H 512MB DDR2 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
EM68B16CWQC-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621AF-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621AF-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621AFP-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621AFP-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621BEP-Y5 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621BFP-Y4 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621BFP-Y5-C | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |