K4T51163QN-BCE7
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4T51163QN-BCE7 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR2 SDRAM |
| IC代码 | 32MX16 DDR2 |
| 共通IC编号 | K4T51163QN-BCE70 |
| K4T51163QN-BCE7000 | |
| K4T51163QN-BCE70CV | |
| K4T51163QN-BCE7T | |
| K4T51163QN-BCE7T00 | |
| K4T51163QN-BCE7TCV |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 标准包装数量 | 1280 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 14th Generation |
| Power | Normal Power |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T51163QN-BCE7 | 51,200 | 21+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7 | 10,240 | DC21+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7 | 4,569 | 索取报价 | |
| K4T51163QN-BCE7T00 | 19,629 | 索取报价 | |
| K4T51163QN-BCE7 | 8,064 | 22+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 100,000 | 22+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 54,000 | 22+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7000 | 100,000 | 索取报价 | |
| K4T51163QN-BCE7 | 10,240 | 22+ | 索取报价 |
| K4T51163QN-BCE7 | 10,000 | 22+ | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4T51163QQ-BPE70CV | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | -40 C~+85 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| AS4C32M16D2-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2A-25BCN | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| AS4C32M16D2A-25BCNTR | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHBG-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHSE-8E- | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AHSE-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E-E | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
| EDE5116AJBG-8E-E NBSP | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |