K4U6E3S4AM-GHCL
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4U6E3S4AM-GHCL |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4X SDRAM |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4U6E3S4AA-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCR | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCR0UT | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCROUT | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCRTUT | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AB-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-GUCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |