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| 制造商IC编号 | K4UBE3D4AA-MGCL |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4X SDRAM |
| IC代码 | 1GX32 LPDDR4 |
| 共通IC编号 | K4UBE3D4AA-MGCL000 |
| K4UBE3D4AA-MGCLT00 |
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 0.6 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | 1280 |
| 标准外箱 |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4UBE3D4AA-MGCL | 0 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 1,520 | 2025+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 12,800 | DC23+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 14,000 | 23 | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 4,000 | 2023+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 5,000 | 23+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 8,000 | 22 | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 7,680 | 23 | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 1,000 | 20 | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCL | 2,560 | 20 | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT53D1024M32D4DT-046 WT:D | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -35 C~+85 C |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNCPMMLXR-NE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEER | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGC | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL/FBGA200 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL0UT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLTUT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLX00 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCR | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCR/L | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |