K4UBE3D4AA-MGCR
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4UBE3D4AA-MGCR |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4X SDRAM |
| IC代码 | 1GX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 0.6 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | 1280 |
| 标准外箱 |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4UBE3D4AA-MGCR | 12,800 | DC23+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 0 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 6,400 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 10,240 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 7,015 | 21+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 10,240 | 22+ | 索取报价 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 5,120 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 7,015 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 2,000 | 索取报价 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 6,000 | 2022+ | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNCPMMLXR-NE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEER | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGC | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL/FBGA200 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL000 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL0UT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLT00 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLTUT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |