圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4UBE3D4AA-MGCR |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | LPDDR4X SDRAM |
| IC代碼 | 1GX32 LPDDR4 |
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 0.6 V |
| 溫度規格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4UBE3D4AA-MGCR | 12,800 | DC23+ | 索取報價 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 0 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 6,400 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 10,240 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 7,015 | 21+ | 索取報價 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 10,240 | 22+ | 索取報價 |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 5,120 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 7,015 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 2,000 | 索取報價 | |
| K4UBE3D4AA-MGCR | 6,000 | 2022+ | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNCPMMLXR-NE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEE | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNCPMMLXR-NEER | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGC | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL/FBGA200 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL000 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCL0UT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLT00 | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UBE3D4AA-MGCLTUT | FBGA-200 | 0.6 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |