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制造商IC编号 | K9F5608Q0B-DIB0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 32MX8 NAND SLC |
脚位/封装 | TBGA-63 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 1.8 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 50 NS |
标准包装数量 | 960 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x8 |
Density | 256M |
Generation | 3rd Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K9F5608Q0B-DIB0 | 23,824 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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K9F5608QOC-DIB | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DIB00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DIB000 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DIBO00/SAM | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOCDIBO00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |