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| 制造商IC编号 | K9F5608QOC-DIB |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 32MX8 NAND SLC |
| 共通IC编号 | K9F5608QOC-DIB0 |
| K9F5608QOC-DIB00 | |
| K9F5608QOC-DIB000 |
| 脚位/封装 | TBGA-63 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 1.70V~1.95V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 50 NS |
| 标准包装数量 | 960 |
| 标准外箱 |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9F5608QOC-DIB0 | 1,000 | 索取报价 | |
| K9F5608QOC-DIB000 | 7,040 | 2004+ | 索取报价 |
| K9F5608QOC-DIB000 | 7,040 | 索取报价 | |
| K9F5608QOC-DIB000 | 7,040 | 04 | 索取报价 |
| K9F5608QOC-DIB0 | 16,000 | 04+ | 索取报价 |
| K9F5608QOC-DIB0 | 3,000 | 2004+ | 索取报价 |
| K9F5608QOC-DIB00 | 16,000 | 索取报价 | |
| K9F5608QOC-DIB0 | 16,000 | 04 | 索取报价 |
| K9F5608QOC-DIB | 8,500 | 索取报价 | |
| K9F5608QOC-DIB0 | 2,000 | 2005+ | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K9F56089QOC-DIB00 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0B-DIB0 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIB0000 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIB0T00 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIBO | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIBOT00 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608Q0C-DIBT00 | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608QOB-DIBO | TBGA-63 | 1.70V~1.95V | 50 NS | -40 C~+85 C |