Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K9F5608QOC-DIB |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 32MX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | K9F5608QOC-DIB0 |
K9F5608QOC-DIB00 | |
K9F5608QOC-DIB000 |
Gehäuse | TBGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 50 NS |
Standard Stückzahl | 960 |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K9F5608QOC-DIB0 | 1.000 | Anfrage senden | |
K9F5608QOC-DIB000 | 7.040 | 2004+ | Anfrage senden |
K9F5608QOC-DIB000 | 7.040 | Anfrage senden | |
K9F5608QOC-DIB000 | 7.040 | 04 | Anfrage senden |
K9F5608QOC-DIB0 | 16.000 | 04+ | Anfrage senden |
K9F5608QOC-DIB0 | 3.000 | 2004+ | Anfrage senden |
K9F5608QOC-DIB00 | 16.000 | Anfrage senden | |
K9F5608QOC-DIB0 | 16.000 | 04 | Anfrage senden |
K9F5608QOC-DIB | 8.500 | Anfrage senden | |
K9F5608QOC-DIB0 | 2.000 | 2005+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K9F56089QOC-DIB00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0B-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0000 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0T00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBOT00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBT00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOB-DIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |