K9F5608QOC-DIB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F5608QOC-DIB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F5608QOC-DIB0
K9F5608QOC-DIB00
K9F5608QOC-DIB000

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608QOC-DIB0 1.000 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB000 7.040 2004+ Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB000 7.040 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB000 7.040 04 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB0 16.000 04+ Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB0 3.000 2004+ Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB00 16.000 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB0 16.000 04 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB 8.500 Anfrage senden
K9F5608QOC-DIB0 2.000 2005+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56089QOC-DIB00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0B-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0000 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0T00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBO TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBOT00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBT00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOB-DIBO TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C