K9F5608Q0C-DIB0

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F5608Q0C-DIB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F5608Q0C-DIB0000
K9F5608Q0C-DIB0T00
K9F5608Q0C-DIBT00

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.70V~1.95V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version None
Generation 4th Generation
Mode Normal
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608Q0C-DIB0 421 0440+ Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 4.000 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 12.500 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 7.040 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 1.000 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 431 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 4.108 N/A Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 10.000 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 4.108 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIB0 16.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56089QOC-DIB00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0B-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBOT00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOB-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DBIO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DIB TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DIB00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DIB000 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C