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Hersteller-Nummer | K9F5608Q0B-DIB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 32MX8 NAND SLC |
Gehäuse | TBGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 50 NS |
Standard Stückzahl | 960 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x8 |
Density | 256M |
Generation | 3rd Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K9F5608Q0B-DIB0 | 23.824 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K9F56089QOC-DIB00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0000 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIB0T00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBOT00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608Q0C-DIBT00 | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOB-DIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |
K9F5608QOC-DBIO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | -40 C~+85 C |