K9F5608Q0C-DIBO

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K9F5608Q0C-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F5608Q0C-DIBOT00

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.70V~1.95V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Mode Normal
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608Q0C-DIBO 9.950 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIBO 1.000 Anfrage senden
K9F5608Q0C-DIBO 5.000 05+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56089QOC-DIB00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0B-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0000 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0T00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBT00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOB-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DBIO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOC-DIB TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C