K9F5608U0C-DIBO

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K9F5608U0C-DIBO
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 32MX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 TBGA-63
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.7V~3.6V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量 960
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Mode Normal
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K9F5608U0C-DIBO 10,733 200504+ 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 733 200504+ 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 1,315 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 5,120 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 5,120 2005+ 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 1,093 2004+ 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 1,093 04+ 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 993 索取报价
K9F5608U0C-DIBO 993 N/A 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C