K9F5608U0C-DIBO

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K9F5608U0C-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Mode Normal
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608U0C-DIBO 10.733 200504+ Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 733 200504+ Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 1.315 Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 5.120 Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 5.120 2005+ Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 1.093 2004+ Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 1.093 04+ Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 993 Anfrage senden
K9F5608U0C-DIBO 993 N/A Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C