K9F5608UOB-DIBO

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K9F5608UOB-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 3rd Generation
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608UOB-DIBO 3.900 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C