K9F5608U0C-DIB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F5608U0C-DIB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F5608U0C-DIB0000
K9F5608U0CDIB0

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608U0CDIB0 1.280 0607+ Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 4.000 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 509 0531 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 509 200531 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 509 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 178 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 14.600 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 509 Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 104 04+ Anfrage senden
K9F5608U0CDIB0 1.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOC-DIB0T00 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C