K9F5608UOC-DIB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F5608UOC-DIB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F5608UOC-DIB0
K9F5608UOC-DIB0T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608UOC-DIB0 5.688 Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0 1.000 Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0 440 Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0 10.240 05+ Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0T00 8.960 2005+ Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0 4.000 2004+ Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0T00 10.000 DC05+ Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0T00 10.000 2005+ Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0T00 10.000 Anfrage senden
K9F5608UOC-DIB0T00 10.000 05+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C