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| 制造商IC编号 | K9F5608UOC-DIBO |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 32MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | TBGA-63 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 2.7V~3.6V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 50 NS |
| 标准包装数量 | 960 |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 256M |
| Pre Prog Version | Serial |
| Generation | 4th Generation |
| Classification | SLC Normal |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9F5608UOC-DIBO | 300 | 0543+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 1,576 | 0543+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 5,661 | 索取报价 | |
| K9F5608UOC-DIBO | 1,276 | 1607+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 9,600 | 14+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 733 | 2005+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 733 | 200504+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 34,534 | 2004+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 3,952 | 2007+ | 索取报价 |
| K9F5608UOC-DIBO | 1,000 | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K9F56080CDIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608D0C-DIB0000 | TBGA-63 | 2.4V~2.9V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608D0CDIB0 | TBGA-63 | 2.4V~2.9V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608DOCDIBO | TBGA-63 | 2.4V~2.9V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608U0C-DIB | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608U0C-DIB0000 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608U0C-DIBO | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608U0CDIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608U0CDIR | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |
| K9F5608UOB-DIBO | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 50 NS | -40 C~+85 C |