K9KBGD8U1M-HIB0

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K9KBGD8U1M-HIB0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 4GX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 TBGA-63
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 2.7V~3.6V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 1 MHZ
标准包装数量
标准外箱

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K9KBGD8U1M-HIB0 4,000 索取报价
K9KBGD8U1M-HIB0 1,888 索取报价
K9KBGD8U1M-HIB0 12,500 索取报价
K9KBGD8U1M-HIB0 1,888 11+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K9KBG08U1M-HIB0 TBGA-63 3.3 V 1 MHZ -40 C~+85 C
K9KBG08U1M-HIB0000 TBGA-63 3.3 V 1 MHZ -40 C~+85 C