K9KBG08U1M-HIB0
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K9KBG08U1M-HIB0 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 4GX8 NAND SLC |
| 共通IC编号 | K9KBG08U1M-HIB0000 |
产品详情
| 脚位/封装 | TBGA-63 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 3.3 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 1 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 4G |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 32G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
库存
| IC 编号 | 数量 | 单价 (USD) | 生产年份 | 附记 | |
|---|---|---|---|---|---|
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | AB库存 | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K9KBGD8U1M-HIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |