K9KBG08U1M-HIB0
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K9KBG08U1M-HIB0 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 4GX8 NAND SLC |
| Andere Bezeichnungen | K9KBG08U1M-HIB0000 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TBGA-63 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4G |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 32G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
Lager
| Teilenummer | Menge | Stückpreis (USD) | Datecode | Anmerkung | |
|---|---|---|---|---|---|
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | Auf Lager | Anfrage senden |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | Anfrage senden | |
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 10.000 | 17+ | Anfrage senden |
| K9KBG08U1M-HIB0 | 508 | Anfrage senden | |
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K9KBGD8U1M-HIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |