K9KBG08U1M-HIB0

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產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K9KBG08U1M-HIB0
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 FLASH-NAND
IC代碼 4GX8 NAND SLC
共通IC編號 K9KBG08U1M-HIB0000

產品詳情

脚位/封装 TBGA-63
外包裝 TRAY
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 1 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4G
Bit Organization x8
Density 32G
Pre Prog Version None
Generation 1st Generation
Mode Dual nCE & Dual R/nB
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block

庫存

IC 編號 數量 單價 (USD) 生產年份 附記
K9KBG08U1M-HIB0000 400 1128 AB庫存 索取報價

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K9KBG08U1M-HIB0000 400 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0000 10,000 17+ 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0 508 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0000 400 1128 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K9KBGD8U1M-HIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 1 MHZ -40 C~+85 C