圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K9KBG08U1M-HIB0 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | FLASH-NAND |
| IC代碼 | 4GX8 NAND SLC |
| 共通IC編號 | K9KBG08U1M-HIB0000 |
| 脚位/封装 | TBGA-63 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 3.3 V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 1 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 4G |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 32G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| IC 編號 | 數量 | 單價 (USD) | 生產年份 | 附記 | |
|---|---|---|---|---|---|
| K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | AB庫存 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K9KBGD8U1M-HIB0 | TBGA-63 | 2.7V~3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |