圖片僅供參考
製造商IC編號 | K9KBG08U1M-HIB0 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | FLASH-NAND |
IC代碼 | 4GX8 NAND SLC |
共通IC編號 | K9KBG08U1M-HIB0000 |
脚位/封装 | BGA |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 3.3 V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 1 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 4G |
Bit Organization | x8 |
Density | 32G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC DDP |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
IC 編號 | 數量 | 單價 (USD) | 生產年份 | 附記 | |
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K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | AB庫存 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K9KBGD8U1M-HIB0 | BGA | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |