TC58NVG0S3EBAI4

产品概述

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图片仅供参考

制造商IC编号 TC58NVG0S3EBAI4
厂牌 KIOXIA/鎧俠
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 128MX8 NAND SLC
共通IC编号 TC58NVG0S3EBAI4 TRAY
TC58NVG0S3EBAI4TR

产品详情

脚位/封装 BGA-63
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 25 NS
标准包装数量 1050
标准外箱
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
TC58NVG0S3EBAI4 180 1344+ 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 1,861 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 184 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 8,824 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 3,634 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 844 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 1,051 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 1,000 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 1,260 索取报价
TC58NVG0S3EBAI4 2,100 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
S34ML01G100BHI003 BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EN27LN1G08-25CEIP BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
F59L1G81MA -25BIG2Y BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BIR FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2CFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI-TR VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML08G168-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34MLI01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C