TC58NVG0S3EBAI4

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Hersteller-Nummer TC58NVG0S3EBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TC58NVG0S3EBAI4 TRAY
TC58NVG0S3EBAI4TR

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl 1050
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NVG0S3EBAI4 180 1344+ Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 1.861 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 184 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 8.824 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 3.634 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 TRAY 844 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 1.051 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 1.000 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 1.260 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 2.100 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
S34ML01G100BHI003 BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EN27LN1G08-25CEIP BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
F59L1G81MA -25BIG2Y BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BIR FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2CFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI-TR VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML08G168-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34MLI01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C