TH58NYG2S3HBA14

产品概述

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制造商IC编号 TH58NYG2S3HBA14
厂牌 KIOXIA/鎧俠
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 512MX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 BGA-63
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+70 C
速度 25 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Mono Stack Multi Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 52 lands, 12 x 17 x 1.04/1.0, BGA[mm]: 132 balls( Toggle ), 12x18x1.85
Package Material Lead-Free: No, Halogen-Free: No
Channel Single / Dual, # of CE 8
Block Size 128KB

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
TH58NYG2S3HBA14 6,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT29F4G08ABBDAH4 VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH4:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH4:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH4D VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH4DTR VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH4ES:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAH5:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAHC VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAHC:D VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C
MT29F4G08ABBDAHC:D TR VFBGA-63 1.8 V 25 NS 0 C~+70 C