H9HCNNN8KUMLHR-NMN

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNN8KUMLHR-NMN
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 256MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 3733 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNN8KUMLHR-NMN 2,727 索取報價
H9HCNNN8KUMLHR-NMN 0 索取報價
H9HCNNN8KUMLHR-NMN 1,150 索取報價
H9HCNNN8KUMLHR-NMN 5,000 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H9HCNNN8KUMLHR-NME MOQ 100K FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMI FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMIR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
H9HCNNN8KUMLHR-NMOR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MFCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MFCJ03V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJT2V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03N FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C