K4F8E3S4HB-MFCJ

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4F8E3S4HB-MFCJ
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 LPDDR4 MOBILE
IC代碼 256MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 1866 MHZ
標準包裝數量
標準外箱

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4F8E3S4HB-MFCJ 10,261 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 2,000 19+ 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 5,877 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 1,012 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 693 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 20,000 索取報價
K4F8E3S4HB-MFCJ 10,000 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4F8E3S4HB-MFCJ03V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJ FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03N FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCLT3V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCL FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCL02V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCLT2V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C