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Hersteller-Nummer | K4F8E3S4HB-MFCJ |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
IC-Code | 256MX32 LPDDR4 |
Gehäuse | FBGA-200 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.1 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 1866 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4F8E3S4HB-MFCJ | 10.261 | Anfrage senden | |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 2.000 | 19+ | Anfrage senden |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 5.877 | Anfrage senden | |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 1.012 | Anfrage senden | |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 693 | Anfrage senden | |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 20.000 | Anfrage senden | |
K4F8E3S4HB-MFCJ | 10.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K4F8E3S4HB-MFCJ03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HB-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL03N | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GFCLT3V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F8E3S4HD-GHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |